ITO 靶材
ITO 是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡,ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜,通常有两个性能指标:电阻率和透光率。
在氧化物导电膜中，以掺Sn的In氧化物(ITO)膜的透过率最高和导电性能**,而且容易在酸液中蚀刻出细微的图形.其中透光率达90%以上,ITO中其透光率和阻值分别由In2O3与SnO2之比例来控制,通常SnO2:In2O3=1:9. ITO多用于触控面板、触摸屏、冷光片等。
铟锡金属氧化物具有很好的导电性和透明性，还可以切断对人体有害的电子辐射，紫外线及远红外线。因此，喷涂在玻璃，塑料及电子显示屏上后，在增强导电性和透明性的同时切断对人体有害的电子辐射及紫外、红外。
电子产品生产商传统上会使用平面溅射靶材来制造平板显示屏，但仅有30%的 ITO在生产过程中可被利用，剩余的靶材则由回收处理。旋转溅射靶材的使用率则达到了85%，意味着产品一经广泛应用，可回收的材料将大大减少。
所谓ITO(氧化铟锡)是代表性透明导电薄膜材料的一种,为现在制造FPD (平面面板显示器) 的必要材料之一。由于是兼具透明及导电之一种原料, 在FPD 的运用上, LCD, PDP, 有机EL,TOUCH PANEL中被广泛使用,且是必用之材料之一。还有,部分薄膜系太阳电池,LED中也被使用。一般的ITO用溅镀法,以薄膜形式来被使用。膜的基本特性是,可视透光率90% 以上, 阻抗率0.2mΩ-cm, 耐久性也很优异,FPD用透明导电薄膜有90% 以上是使用ITO。
ITO 靶材主要性能指标 | |
比例 | In2O3/SnO2 90/10% , 配比可按用户要求 |
密度 | >= 7.14 g/cm3 (理论密度 7.15g/cm) |
相对密度 | >= 98.5%g |
纯度 | 99.99% |
靶材厚度 | 2-100mm |
靶材利用率 | ≥ 82 % |
基板收集效率 | 60% |
用功率 | 7-12 KW/m |
ITO之用途(使用的设备)
